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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.0
18.6
写入速度,GB/s
8.0
15.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
3552
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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