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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
2,936.9
16.7
写入速度,GB/s
1,884.0
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3025
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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