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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
49
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
33
读取速度,GB/s
10.2
15.9
写入速度,GB/s
8.1
12.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2817
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
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