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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
16.7
写入速度,GB/s
10.1
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3244
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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