RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3244
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link