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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
比较
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
总分
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
82
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
82
读取速度,GB/s
13.0
12.3
写入速度,GB/s
8.0
11.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2268
1930
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
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