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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
16.1
16.4
写入速度,GB/s
10.1
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2632
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
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Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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