RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2632
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link