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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
57
左右 -90% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
30
读取速度,GB/s
6.8
17.8
写入速度,GB/s
5.5
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
3273
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
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Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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