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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
差异
规格
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差异
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
57
左右 -111% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
27
读取速度,GB/s
6.8
13.9
写入速度,GB/s
5.5
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
2755
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
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