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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
45
57
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
45
读取速度,GB/s
6.8
10.0
写入速度,GB/s
5.5
8.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
2414
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
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Kingston 9905711-032.A00G 8GB
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AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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