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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
总分
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
总分
Panram International Corporation M424016 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation M424016 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.9
12.6
写入速度,GB/s
8.9
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2418
2035
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
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