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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
总分
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.9
17.2
写入速度,GB/s
8.9
13.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2418
2989
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
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