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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
总分
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
总分
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.9
20.5
写入速度,GB/s
8.9
15.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2418
3649
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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