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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
总分
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.9
15.1
写入速度,GB/s
8.9
11.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2418
2814
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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