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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
总分
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
总分
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
50
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
50
读取速度,GB/s
13.9
10.2
写入速度,GB/s
8.9
7.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2418
2064
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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