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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
比较
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
总分
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
总分
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
33
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
33
读取速度,GB/s
15.5
16.1
写入速度,GB/s
9.3
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2402
2867
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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