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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
47
读取速度,GB/s
15.5
10.0
写入速度,GB/s
9.3
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2402
2308
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB RAM的比较
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
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