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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
比较
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
总分
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
总分
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
60
左右 60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
60
读取速度,GB/s
15.5
14.9
写入速度,GB/s
9.3
12.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2402
2511
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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