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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

总分
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

总分
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 36
    左右 -24% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 15
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.8 left arrow 10.3
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    15.0 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    10.3 left arrow 12.8
  • 内存带宽，mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2569 left arrow 3113

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较

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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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