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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
35
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
16.8
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
35
读取速度,GB/s
17.7
17.2
写入速度,GB/s
13.1
16.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
3225
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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