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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
30
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
30
读取速度,GB/s
17.7
15.0
写入速度,GB/s
13.1
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2875
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM的比较
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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