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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
28
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
28
读取速度,GB/s
17.7
17.4
写入速度,GB/s
13.1
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
3398
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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