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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
30
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
30
读取速度,GB/s
17.7
16.1
写入速度,GB/s
13.1
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2479
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
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