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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
67
左右 73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
67
读取速度,GB/s
17.7
15.9
写入速度,GB/s
13.1
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
1850
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
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