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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
38
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
38
读取速度,GB/s
17.7
14.6
写入速度,GB/s
13.1
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2298
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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