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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
比较
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
总分
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
64
左右 63% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
64
读取速度,GB/s
14.2
17.3
写入速度,GB/s
9.5
10.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2222
2181
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB RAM的比较
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
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G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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