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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
比较
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
总分
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
总分
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
35
读取速度,GB/s
14.2
13.9
写入速度,GB/s
9.5
10.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2222
2434
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB RAM的比较
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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