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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
比较
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
总分
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 -26% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
31
读取速度,GB/s
13.0
11.0
写入速度,GB/s
8.6
8.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2201
2271
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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