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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
比较
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
总分
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
总分
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
39
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
34
读取速度,GB/s
13.0
15.4
写入速度,GB/s
8.6
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2201
2739
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
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Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
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