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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
11.5
14.1
写入速度,GB/s
6.5
11.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2552
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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