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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
28
46
读取速度,GB/s
12.6
12.2
写入速度,GB/s
8.2
7.9
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1822
2072
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
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