RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Compara
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
46
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1822
2072
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link