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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

总分
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

总分
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InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB 需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 35
    左右 -9% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.5 left arrow 6.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    11.5 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    6.5 left arrow 10.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1994 left arrow 2714

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较

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InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB RAM的比较

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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
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内存RAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 9965596-019.B01G 4GB
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内存RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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内存RAM
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