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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
83
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.5
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
83
读取速度,GB/s
4,595.2
14.8
写入速度,GB/s
2,168.2
6.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
1370
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
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