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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Kingston K000MD44U 4GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Kingston K000MD44U 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston K000MD44U 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
39
读取速度,GB/s
11.5
14.9
写入速度,GB/s
6.5
9.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2262
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 9905701-008.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
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