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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
36
读取速度,GB/s
11.5
19.2
写入速度,GB/s
6.5
11.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
3256
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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