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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
15.4
15.3
写入速度,GB/s
9.2
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2744
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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