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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
47
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
39
读取速度,GB/s
11.8
13.3
写入速度,GB/s
8.0
9.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2419
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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