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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
14.0
12.9
写入速度,GB/s
9.0
10.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2619
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
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