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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905713-035.A00G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
3,405.2
15.6
写入速度,GB/s
2,622.0
8.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2496
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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