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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.1
18.0
写入速度,GB/s
8.6
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3049
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
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