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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
39
读取速度,GB/s
11.5
16.1
写入速度,GB/s
6.5
11.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2782
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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