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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
63
左右 -152% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
25
读取速度,GB/s
8.1
19.6
写入速度,GB/s
7.5
15.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3774
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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