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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
3,405.2
20.4
写入速度,GB/s
2,622.0
17.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
4214
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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