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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
15.5
17.1
写入速度,GB/s
12.0
12.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3409
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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