RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
38
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3409
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link