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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB

总分
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 35
    左右 -52% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.8 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.0 left arrow 6.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    11.5 left arrow 17.8
  • 写入速度，GB/s
    6.5 left arrow 14.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1994 left arrow 3086

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较

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Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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内存RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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