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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
比较
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
总分
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
36
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
26
读取速度,GB/s
13.7
18.5
写入速度,GB/s
8.2
14.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3596
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Jinyu 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
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