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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
比较
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
总分
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
13.7
13.3
写入速度,GB/s
8.2
10.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2306
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
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